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STマイクロエレクト​​ロニクスは、中国でのメモリを作る方法金曜日にSTマイクロエレクト​​ロニクスとハイニックス半導体は、無錫市、江蘇省、中国でのフロントエンドmemorymanufacturing施設のサイトで最初の石を置いた。 この動きは、世界の半導体製造事業で国の重要性の高まりをマーク。新工場は、DRAMとNANDフラッシュの両方を製造し、今年末までに200ミリメートルウエハーラインを使用して生産を開始する。 後半に2006年までに工場は300ミリメートルウエハーラインを使用して生産を開始します。 200ミリメートルラインは、将来的に60 000ウェーハに拡大する可能性が20 000ウエハー月産なる一方レポート中国人newagency新華社によると、300ミリメートルウエハーラインの生産能力は、17 000ウェハ毎月になります。 施設のプロセス技術は、韓国でハイニックスの既存工場から転送されます。 両社は新たな製造工場は非常costcompetitive生産中でワールドクラスの品質を提供することを期待しています。工場は無錫市、上海から2時間で土地を選定され、企業は場所が大きく、highlyskilled労働プール、堅牢welldevelopedインフラ、拡張のための部屋へのアクセスを特色にしたと述べた。プロジェクトのために計画された総投資額は2ドル円です。 STからの長期借入金250百万ドルを、同様に債務および長期借地が参加する中国の地域金融機関からの融資パッケージ、それは、67%を投資するとSTが33%を投資するpartnersHynix両方から公平で賄われることになる。 STとハイニックスは、必要な政府の承認および融資パッケージを確保する過程にある。 2005年には、STとハイニックスから株式投資は1/32/3ごとに分割、周り3.75億ドルに達すると予想されます。中国市場は、現在世界的な半導体市場の約15%であり、2008年まで20%以上の年率で成長すると予測され、IDCからの予測によると。 中国のメモリ施設の設立はハイニックスとSTマイクロが良い国で彼らの顧客にサービスを提供できるようになり、企業は信じています。 最終的には企業が国から他の市場に製品を出荷し、中国で製造の低コストの恩恵を受ける可能性があります。2013年8月29日(木曜日)23:18ORNLは、前例のない性能を持つ半導体材料を検出します。 ORNLのディスカバリーは、産業革命につながる可能性16:38インテルは、変更計画の:コアI BroadwellのプロセッサLGAパッケージで利用できるようになりますが、キャッチはあります。 ハスウェルリフレッシュ、 BroadwellのLGAプラットフォームへの扉を開くためのIntelの9Seriesチップセット12:32 PMロジクールRollsOut極薄タッチマウス。 ロジクールは、超軽量マウスを明らかに11:23午前任天堂はPriceSensitiveバイヤーに対処するために2DSポータブルゲームコンソールを発表。 任天堂は新しいポータブルゲームシステムからステレオ3Dテクノロジーを削除10:43午前ノキアのスティーブンElopは次のMicrosoftチーフExecutiveBookmakersなってする最高のチャンスを持っています。 ブックメーカーは 次のマイクロソフト最高経営責任者(CEO)のためにお気に入りとしてスティーブンElopはを参照してください
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